以下型号 02
西门子 SAX61.03
SAX61.03
MIK-AL-1 1
1TW-52 板卡
SV008IG5A-1
SV004IG5A-2
MIDAS-E-NH3
MIDAS-E-shx
8-241 SUNTEX
LE-40MD
TSXETY110WS
QJ71C24N-R2
Q02CPU
Q62P
QJ61BT11N
QX48Y57
QD75MH4
QD75MH1
QY42P
QD70P4
QX40
QY41P
QX42
Q38B
GYS201DC2-T2C
FQ10N-RL31-P2
TXG50m3
170ADI35 />
170AAI14000
SBWG-2A
XTRWB-3H
ISOL-12A
AI-501宇电的表
501宇电
F701尤尼帕斯
CMLN-13S2M
eco655MVGE
acA2500-14gm
fp0-c14rs
fe0-e8rs
fp0-E16RS
fp0-e8x
fp0-e16yt
fp0-e16yt
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fpO-c14rs
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fpO-e16yt
fpO-e16x-f
TM241CE40R
TM3DI8
TM3DQ8R
TM3DI16
TM3DQ16R
TM3AI4
TM3T14
TM3AM6
MDS-B-SPJ2-75
MDS-B-SV br />
BMH1003P26F2A
NPT-IGBT于1987年出山，很快在90年代成为江湖霸主。NPT与PT不同在于，它使用低掺杂的N-衬底作为起始层，先在N-漂移区的正面成MOS结构，然后用研磨减薄工艺从背面减薄到 IGBT 电压规格需要的厚度，再从背面用离子注入工艺形成P+ collector。在截止时电场没有贯穿N-漂移区，因此称为“非穿通”型IGBT。NPT不需要载流子寿命控制，但它的缺点在于，如果需要更高的电压阻断能力，势必需要电阻率更高且更厚的N-漂移层，这意味着饱和导通电压Vce(sat)也会随之上升，从而大幅增加器件的损耗 30-002 1 55-001 p;
177 27-501 ;
30751044-8 2-001 &
4DP7APX0D41 *A74MA45D-CH
A74MA45ECTR 5D-CH
1756-DNB
1756-CNBR
1756-CNB
17 br />
ET200S BD00-0AA0
6ES7134-4FB00-0AB0
6ES7134-4GB10-0AB0< A0
HG-SR102J
6SL32-0AM00-0AA0
GPX08D1代替型号GPX12D1-8ST
3RT2023 1SSV000
HG-KR053J
HG-SR52J
HG-
LE-40MTB-E
MR-J4-60B&nb 1
1C31 br />
1C3112 1
1C31 br />
1C3112 04
140 01
140 00
140 C
140CRA21210
CPU731-TG
R7D-BP04H-Z
MSMD042G1V
MBDHT2510
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NW0LA-RS4
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FX3U-48MR/ES-A
DVP40ES00R2
DVP24ES00R2
DVP16XN11R
Merlin MC18
Merlin MC08
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DVP08XN11T
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FX2N-16EYR
FX0N-3A
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NW0P40R-34C
UNBF-100KN
UNBF-150KN 00-P-S32&nbs UF0
DR F21-1AB1
FU-35FZ(200)
FS-N40
FS-MC8P
GL-RB01
HG-SR52J
EMB9351-E
MADLT15SF
MHMF022L1U2M
SI6800
PI2794
PAM-196-P-GL
PAM-19 13-0AA4 A4
R2AAB8100HXH5A
SGM7J-04AFC6S
DVP40ES200R
FX3U-64MT/ES-A
